Piensignaalitransistorit

Yhteisemitterikytketty bipolaaritransistori

bjt.png

gm = IC/VT

Av = -gm*(RC||RL||rc) (täysin ohitettu emitteri)

Av = -RC/(RE+re) (ohittamaton emitteri)

Rin = R1||R2||Rπ (täysin ohitettu emitteri)

Rin = R1||R2||[(RE+re)*ß] (ohittamaton emitteri)

Rout = rc||RC||RL

Rout ≈ RC

Rπ = ß/gm

re = 1/gm

rc = VA/IC

Av = Jännitteenvahvistus
ß = Virtavahvistuskerroin
gm = Siirtokonduktanssi
IC = Kollektorivirta
RC = Kollektorivastus
rc = Kollektorin resistanssi
RE = Emitterivastus
re = Emitterin resistanssi
Rin = Tuloresistanssi
RL = Kuorma
Rout = Lähtöresistanssi
= Kannan Tuloresistanssi
Rs = Lähteen resistanssi
VA = Early jännite
VT = (kT)/q ≈ 26mV huoneenlämmössä

Taajuusvaste

Ylipäästösuodin

FC1 = 1/(2π(RS+Rin)C1)
FC2 = 1/(2π((re+(Rth/ß))||RE)C2)
FC3 = 1/(2π(Rout+RL)C3)

Alipäästösuodin (Miller-kapasitanssi)

FH1 = 1/(2π*Rout*CoutM)
FH2 = 1/(2π(Rth||Rπ)(Cbe+CinM))

Rth = R1||R2||RS

CinM = Cbc(|Av|+1)

CoutM = Cbc(|Av|+1)/|Av|

Cbc = Kannan ja kollektorin välinen kapasitanssi
Cbe = Kannan ja emitterin välinen kapasitanssi